[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-22] MBEによるh-BNバッファ層を用いた(0001)サファイア基板上GaN成長

〇小林 康之¹、中田 啓一¹、中澤 日出樹¹、岡本 浩¹、廣木 正伸²、熊倉 一英² (1.弘前大学、2.NTT物性基礎研)

キーワード：窒化ホウ素、分子線エピタキシー

MBEにより(0001)サファイア基板上にh-BNバッファ層を用いてGaN薄膜を成長した。h-BNバッファ層の膜厚の増加に伴い、X線回折における(0002)GaNのピーク強度が低下する。