[18p-E202-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [18p-E202-3] Homogenization of lattice constants of GaN crystal grown on point seeds by controlling growth planes during the Na-flux growth

〇Masayuki Imanishi¹, Kosuke Murakami¹, Keisuke Kakinouchi¹, Kosuke Nakamura¹, Mamoru Imade¹, Masashi Yoshimura^1,2, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:Na flux method, GaN, Point seed

本研究室では、Naフラックスポイントシード法を用い、大口径かつ低転位GaN基板を作製している。しかし、本手法では結晶がファセット成長しやすく、酸素不純物量が多くなる結果、格子定数が不均一になることが問題であった。近年ファセット成長を抑制し、酸素取り込み量の少ないc面成長を促進する手法を新たに見出し、表面が平坦、かつ格子定数が均一なGaNウエハ作製に初めて成功した。