[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18p-E202-3] Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶成長面制御による格子定数の均一化

〇今西 正幸¹、村上 航介¹、垣之内 啓介¹、中村 幸介¹、今出 完¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：Naフラックス法、GaN、ポイントシード

本研究室では、Naフラックスポイントシード法を用い、大口径かつ低転位GaN基板を作製している。しかし、本手法では結晶がファセット成長しやすく、酸素不純物量が多くなる結果、格子定数が不均一になることが問題であった。近年ファセット成長を抑制し、酸素取り込み量の少ないc面成長を促進する手法を新たに見出し、表面が平坦、かつ格子定数が均一なGaNウエハ作製に初めて成功した。