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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月18日(日) 13:15 〜 19:30 E202 (57-202)

荒木努(立命館大)、片山竜二(阪大)、藤倉序章(サイオクス)

15:30 〜 15:45

[18p-E202-8] 電磁浮遊法を用いた溶融Ni-AlからのAlN生成その場観察

〇安達正芳¹、浜谷苑子¹、山片裕司¹、大塚誠¹、福山博之¹ (1.東北大多元研)

キーワード：AlN結晶、その場観察