[18p-E202-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [18p-E202-9] Bowing Control of Sputtered AlN caused by High Temperature Annealing

〇Yusuke Hayashi¹, Kentaro Tanigawa¹, Kanako Shojiki², Hideto Miyake^1,2 (1.Grad. School RIS, Mie Univ., 2.Grad. School Eng., Mie Univ.)

Keywords:AlN, Sputtering, Annealing

スパッタ成膜したAlNを1700℃の高温アニール処理することにより、結晶性が大幅に改善されることが報告されている。アニールの過程で固相成長が促進され、貫通転位が消失する様子がTEM測定から明らかにされている。一方、クラックの発生やウェハの反りも見られており、これらの抑制は深紫外LEDへの応用で重要となる。両面研磨サファイア基板の表面・裏面にスパッタすることでアニール後の反り制御に成功したので報告する。