[18p-F104-1~8] Evolution of nanowire devices and physics for IoT era

[18p-F104-8] Development of compound semiconductor nanowires for RF energy harvesters

〇Kenichi Kawaguchi^1,2, Tsuyoshi Takahashi^1,2, Naoya Okamoto^1,2, Masaru Sato^1,2 (1.Fujitsu, 2.Fujitsu Labs.)

Keywords:Nanowire, RF energy harvesting, Backward diode

我々は、ゼロバイアスで急峻な整流性をもつバックワードダイオード(BWD)を化合物半導体ナノワイヤにより形成することで、これまでにない高感度な受信デバイスを形成し、環境電波ハーベスティングを可能にすることを目指している。今回は、その取り組みの一環である、GaAsSb/InAsヘテロナノワイヤ形成およびナノワイヤを用いたBWD試作状況について紹介する。