[18p-F104-1~8] IoT時代に向けたナノワイヤデバイス展開とその物理

[18p-F104-8] 電波ハーベスタ向け化合物ナノワイヤの開発

〇河口 研一^1,2、高橋 剛^1,2、岡本 直哉^1,2、佐藤 優^1,2 (1.富士通、2.富士通研)

キーワード：ナノワイヤ、電波ハーベスティング、バックワードダイオード

我々は、ゼロバイアスで急峻な整流性をもつバックワードダイオード(BWD)を化合物半導体ナノワイヤにより形成することで、これまでにない高感度な受信デバイスを形成し、環境電波ハーベスティングを可能にすることを目指している。今回は、その取り組みの一環である、GaAsSb/InAsヘテロナノワイヤ形成およびナノワイヤを用いたBWD試作状況について紹介する。