[18p-F202-1~19] 1.1 応用物理一般・学際領域

[18p-F202-15] 微細半導体プロセスにおけるシングルイベント耐性強化技術の検討

〇(D)丸 明史^1,2、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大、2.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：半導体、放射線、シングルイベント

微細プロセスにおける耐放射線性強化のための回路対策構築にはチャージシェアリングの影響を回避するため、その影響の範囲がどこまでかを正確に見積もり、適切な距離にトランジスタを配置する回路レイアウト設計が非常に重要である。そこで、本研究では微細プロセスにおける放射線体制強化技術の検討のため必須となるチャージシェアリングによる電荷収集の影響範囲をデバイスシミュレータを用いて予測する手法を検討した。