[18p-F206-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-F206-7] 高耐圧及び微細化に向けて構造改善を行った縦型2DHGダイヤモンドMOSFET

〇(B)岩瀧 雅幸¹、大井 信敬¹、牟田 翼¹、堀川 清貴¹、天野 勝太郎¹、日出幸 昌邦¹、蔭浦 泰資¹、稲葉 優文²、平岩 篤¹、川原田 洋^1,3 (1.早大理工、2.名大未来研、3.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、縦型デバイス、MOSFET

ダイヤモンド基板上に深さ4㎛、幅2~4㎛のトレンチを形成し、基板表面を水素終端化することによって二次元正孔ガス(2DHG)を誘起させ、２DHGをキャリアとする縦型２DHGダイヤモンドMOSFETの作製を行った。本研究では、デバイスの微細化を行い、L_SD=6~10㎛のデバイスで、FETとしての動作を確認した。また、縦方向リーク電流抑制のために窒素ドープ層を形成し、窒素ドープ層による電界集中を抑制するため、窒素ドープ層成膜条件を変更した。