[18p-F306-1~17] 12.7 医用工学・バイオチップ

[18p-F306-16] 延長ゲート型a-InGaZnO TFT pHセンサの応答特性評価

〇岩松 新之輔¹、竹知 和重²、村上 穣¹、田邉 浩²、渡部 善幸¹ (1.山形県工技セ、2.Ｔｉａｎｍａ　Ｊａｐａｎ)

キーワード：延長ゲート電極、酸化物半導体、pHセンサ

我々は、非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物薄膜トランジスタ（a-InGaZnO TFT）を基本構造に用いた溶液ゲート型pHセンサの開発に取り組んでいる。本研究では、センサ耐久性を向上させるため、トップゲート絶縁膜上に形成したトップゲート電極をTFT外部に伸長し被検液に浸漬する構成である延長ゲート型pHセンサの開発に取り組んだ。