[18p-F310-1~7] 13.9 化合物太陽電池

△ [18p-F310-2] V族元素ドープCdTe単結晶を用いた高開放端電圧太陽電池デバイス作製

〇永岡 章^1,3、Kuciauskas Darius²、Scarpulla Michael³、野瀬 嘉太郎¹ (1.京大院工、2.米国立再生可能エネルギー研究所、3.ユタ大材料工)

キーワード：化合物半導体、化合物太陽電池、カドミウムテルライド

CdTe太陽電池の変換効率の制限原因として、CdTe材料に起因する10¹⁵ cm^-3以下の低いホール濃度とns以下の短いライフタイムが挙げられる。我々は、ホール濃度とライフタイムの改善のためにV族元素(As)ドーピングと再結合中心となるCdサイトのTe (Te_Cd)抑制に効果的なCd-rich組成からアプローチを行ってきた。本発表では、これまでの欠陥制御の知見から得られた高いキャリア濃度と長いライフタイムを持つCd-rich As-doped CdTe単結晶を用いて応用面であるCdTe太陽電池デバイス作製を行った。