[18p-G205-1~18] 12.1 作製・構造制御

△ [18p-G205-1] 真空蒸着法によるCH₃NH₃PbI₃/CH₃NH₃PbCl₃へテロ積層構造の作製

〇(B)高島 駿¹、中村 唯我¹、松下 智紀^1,2、近藤 高志^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：ペロブスカイト型半導体