[18p-P11-1~13] 12.2 Characterization and Materials Physics

[18p-P11-13] Surface Morphology of Pentacene Film on Si substrate Characterized by In-Situ Grazing-Incidence Small Angle X-ray Scattering (II)

〇Ichiro Hirosawa¹, Takeshi Watanabe¹, Tomoyuki Koganezawa¹, Noriyuki Yoshimoto² (1.JASRI, 2.Iwate Univ.)

Keywords:organic semiconductor, thin film growth, grazing-incidence small-angle X-ray scattering

微小角入射X線小角散乱によりSiO₂​基板上のペンタセン薄膜形成時の表面形態を検討したところ、１分子層未満の膜ではisland間の相関距離が700 nm程度である一方、1分子層を越えた膜の相関距離は240 nmとなった。この結果はSiO₂上よりもペンタセン膜表面上の方がペンタセン分子の拡散距離が著しく短いことを示唆するものと考えられる。