[18p-P14-1~19] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18p-P14-13] Surface reaction of 4H-SiC (1-100) with NO molecules analyzed by DFTB simulations

〇Miki Ogasawara¹, Takayuki Hirose¹ (1.Fuji Electric Co., Ltd.)

Keywords:simulation, SiC, nitric monoxide

SiC-MOSFETにおいて、移動度向上にはゲート酸化膜の界面制御が重要である。界面制御には酸化膜形成工程における界面の原子構造を明らかにし、界面準位の形成メカニズムを解明する必要がある。そこで本研究では、シミュレーションによって4H-SiC(1-100)とNOとの酸窒化反応による原子構造の変化を解析した結果を報告する。