[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-15] 電子エネルギー損失分光法による4H-SiC/SiO₂界面近傍の余剰炭素評価

〇寺尾 豊¹、広瀬 隆之¹、寺西 秀明¹、佐藤 英智¹、瀧川 亜樹¹ (1.富士電機)

キーワード：炭化ケイ素、MOS、EELS