[18p-P14-1~19] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18p-P14-18] Influence of dimension of channel region on the radiation response of SiC MOSFET

〇Akinori Takeyama¹, Takahiro Makino¹, Shuichi Okubo³, Yuki Tanaka³, Mikio Kandori³, Toru Yoshie³, Yasuto Hijikata², Takeshi Ohshima¹ (1.QST, 2.Saitama Univ., 3.Sanken Electric Co., Ltd.)

Keywords:SiC, MOSFET, radiation response

SiC MOSFETの放射線耐性強化を目指し、異なるチャネル長および幅を持つ4H-SiC 横型MOSFETに対して⁶⁰Coガンマ線を室温、窒素雰囲気中で2.6 MGyまで照射し、電気特性を調べた。得られた電気特性からSiC MOSFETの酸化膜中および界面に生成する電荷密度を算出した結果、チャネル長が長くなると、酸化膜固定および界面電荷がより多く生成し、劣化が促進されることがわかった。