[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-18] チャネルサイズがSiC MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼす影響

〇武山 昭憲¹、牧野 高紘¹、大久保 秀一³、田中 雄季³、神取 幹郎³、吉江 徹³、土方 泰斗²、大島 武¹ (1.量研、2.埼玉大院理工研、3.サンケン電気)

キーワード：炭化ケイ素、電界効果トランジスタ、照射効果

SiC MOSFETの放射線耐性強化を目指し、異なるチャネル長および幅を持つ4H-SiC 横型MOSFETに対して⁶⁰Coガンマ線を室温、窒素雰囲気中で2.6 MGyまで照射し、電気特性を調べた。得られた電気特性からSiC MOSFETの酸化膜中および界面に生成する電荷密度を算出した結果、チャネル長が長くなると、酸化膜固定および界面電荷がより多く生成し、劣化が促進されることがわかった。