2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[18p-P15-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2018年3月18日(日) 16:00 〜 18:00 P15 (ベルサール高田馬場)

16:00 〜 18:00

[18p-P15-11] Ag/Bi二層膜のコヒーレントフォノン分光

妹尾 駿一1、矢野 敬祐1、鈴木 頼乙1、冨田 知志1、香月 浩之1、細糸 信好1、柳 久雄1 (1.奈良先端大物質)

キーワード:コヒーレントフォノン

表面や界面など空間反転対称性が破れた系ではスピン軌道相互作用(SOC)によってスピン分裂が生じる(Rashba効果)。BiとAgの界面では巨大なRashba効果を示すことが知られている。しかしながらSOC に起因するRashba 効果が、系のフォノンに及ぼす影響は良く分かっていない。本研究ではRashba効果が期待されるBiとAgの界面のフォノンを系統的に調べた。