[18p-P3-1~18] 9.4 Thermoelectric conversion

△ [18p-P3-14] Amorphous Oxide Thin-Film for Transverse-type Flexible Thermoelectric Generator

〇(M1)Kenta Umeda¹, Mutsunori Uenuma¹, Daiki Senaha¹, Jenichi Felizco¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹, Hideaki Adachi¹ (1.NAIST)

Keywords:oxide, thin film, Thermoelectric

アモルファスInGaZnO(IGZO)はディスプレイの駆動素子として注目を浴びているn型酸化物半導体である。IGZOは可視光において透明で低温プロセスで作製が可能であることから，フレキシブルな基板上への形成にも適している。IGZOを熱電変換素子へ適用することで，透明でフレキシブルな熱発電デバイスの実現が期待される。
本研究ではフレキシブルな基板であるPEN基板を用いて，IGZO/Moを625個直列に接続したトランスバース型IGZO/Mo-TEGを作製しその特性評価を行った。