[18p-P3-1~18] 9.4 熱電変換

△ [18p-P3-14] アモルファス酸化物薄膜のトランスバース型フレキシブル熱電変換素子

〇(M1)梅田 鉄馬¹、上沼 睦典¹、瀬名波 大貴¹、Felizco Jenichi¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹、足立 秀明¹ (1.奈良先端大)

キーワード：酸化物、薄膜、熱電変換

アモルファスInGaZnO(IGZO)はディスプレイの駆動素子として注目を浴びているn型酸化物半導体である。IGZOは可視光において透明で低温プロセスで作製が可能であることから，フレキシブルな基板上への形成にも適している。IGZOを熱電変換素子へ適用することで，透明でフレキシブルな熱発電デバイスの実現が期待される。
本研究ではフレキシブルな基板であるPEN基板を用いて，IGZO/Moを625個直列に接続したトランスバース型IGZO/Mo-TEGを作製しその特性評価を行った。