[18p-P3-1~18] 9.4 熱電変換

[18p-P3-16] KFMによるゼーベック係数評価のためのSiワイヤの表面電位測定

〇鈴木 悠平^1,2、岡 晃人¹、川合 健斗¹、熊田 剛大³、島 圭佑³、立岡 浩一²、ファイズ サレ⁴、渡邉 孝信³、池田 浩也^1,2 (1.静大電研、2.静大創造院、3.早大、4.マラヤ大)

キーワード：ゼーベック係数、表面電位顕微鏡、Si

表面電位顕微鏡（KFM）を用いて非接触・非破壊でゼーベック係数を測定するために，Siワイヤと温度測定用パッドを備えた試料をSi-on-insulator(SOI)基板に作製し，KFMによる表面電位差と温度差の同時測定を試みた． 得られた表面電位は，埋め込み酸化膜とSOI層の境界付近で高い値を示し，Siワイヤの端付近と中央部で異なる値を示した．これらの現象について，電位分布シミュレーションを用いて埋め込み酸化膜やSi基板に存在する捕獲電荷の影響を調べて，検討を進めている．