[18p-P6-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[18p-P6-16] ラザフォード後方散乱法によるZnイオン注入GaN単結晶内の格子変位評価

〇久保田 恭平¹、西村 智朗¹、栗山 一男¹、中村 徹¹ (1.法政大)

キーワード：Znイオン注入、ラザフォード後方散乱、格子変位