The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[18p-P6-1~18] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Sun. Mar 18, 2018 1:30 PM - 3:30 PM P6 (P)

1:30 PM - 3:30 PM

[18p-P6-3] Effect of impurity on oxidation characteristics of melt grown Mg2Si (II)

〇(B)Dai Kaneda1, Shu Konno1, Ryujyou Sugahara1, Haruhiko Udono1 (1.Ibaraki University)

Keywords:Thermoelectric materials

我々は融液から合成したMg2Si結晶の熱電応用について研究している。これまでに、non-dope及び不純物SbとBiを添加したMg2SiにおいてBi添加結晶はSb添加結晶より顕著な酸化が生じることを報告した。しかし、何故Sb添加で酸化が抑制されるのか、その詳細は明らかにできていない。今回、キャリア濃度に影響を与えない Zn、Ta 不純物についても酸化 を抑制する効果が見られたので報告する。