[18p-P6-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[18p-P6-7] Sb添加β-FeSi₂エピタキシャル膜におけるドナー活性化条件の最適化

〇江口 元¹、飯沼 元輝¹、星田 裕文¹、村社 尚紀¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：半導体鉄シリサイド、電子密度制御