[18p-P7-1~7] 13.3 絶縁膜技術

△ [18p-P7-1] AlO_x/GeO_x/a-Ge ゲートスタック構造への原子状水素アニールの効果

〇(B)大貫 智史¹、部家 彰¹、松尾 直人¹ (1.兵県大工)

キーワード：半導体、ゲルマニウム、ゲートスタック

熱処理により作製したAlO_x/GeO_x/a-Geゲートスタック構造の電気特性を改善するために、原子状水素を試料に照射する原子状水素アニール(AHA)を行い、AHA処理による電気特性の変化と構造中での原子状水素との反応について検討した。
I-V、C-V測定の結果からそれぞれ1桁程度のリーク電流の低減とヒステリシスの改善が確認さた。これは絶縁膜中及び界面での水素終端による効果であると考えられる。