[18p-P7-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[18p-P7-3] 酸化物界面ダイポールを用いた新規メモリの提案

〇宮田 典幸¹ (1.産総研)

キーワード：界面ダイポール、不揮発メモリ、MOS

HfO₂系酸化物界面に誘起されるダイポールの変調動作に基づく新たなメモリ素子を提案するとともに、実際にMOSキャパシタから測定された界面ダイポール変調を示唆するC-V特性を示す。また、低いMOS界面準位密度と広いメモリ幅を両立するための界面ダイポール変調機構として、多層HfO₂/SiO₂ 型MOS構造を提案する。