[18p-P8-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-P8-1] Inpacts of annealing on optical and electrical properties of GaAsPN alloys

〇So Hikosaka¹ (1.Toyohashi Tech.)

Keywords:semiconductor

Siと格子整合し、1.6~1.8 eVのバンドギャップを実現できるGaAsPNを用い、N>3%の高窒素組成域でGaAsPN pn接合の形成に成功した。しかし、N組成の増加に伴い、Nに起因する点欠陥による結晶性の劣化が問題となる。GaAsPNの電気的特性を調査し、アニール後に逆方向電流が約3桁減少した。アニール前後の低温PLスペクトルからもN起因の欠陥の低減を確認した。アニールによって深い準位が減少し、逆方向電流が減少したことが考えられる。