2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年3月18日(日) 13:30 〜 15:30 P8 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-10] Si(111) 基板上GaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤにおける微細構造成長

矢野 康介1、高田 恭兵1、Patil Pallavi1、下村 哲1、清水 夕美子2、長島 一樹3、柳田 剛3、石川 史太郎1 (1.愛媛大工、2.東レリサーチ、3.九大先導研)

キーワード:ナノワイヤ