[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-14] MOVPE法で作製した層厚の異なるInAs/GaAsSb超格子の光学特性評価

〇(M1)若城 玲亮¹、井上 裕貴¹、高橋 翔¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：MOCVD、InAs/GaAsSb、超格子