[18p-P8-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-P8-3] Four-wave mixing measurements on nitrogen delta-doped GaAs

〇Ryota Fukushima¹, Yuichi Takubo¹, Yoshiki Sakuma², Michio Ikezawa¹ (1.Tsukuba Univ., 2.NIMS)

Keywords:Four-wave mixing, nitrogen delta-doped GaAs

GaAs に希薄にデルタドープされた窒素不純物によって形成される NX センターは、数百 ps 程度の短い寿命を持つ明るい単一光子源として有用である。束縛された励起子のコヒーレンス特性とゆらぎの時間スケールを理解することが重要であるが、これまでは非共鳴励起下での単一NXセンター発光の干渉測定による評価しか行われておらず、遅いスペクトル拡散の影響がどの程度あるか良く分かっていない。そこで、今回、ピコ秒パルスによる縮退四光波混合法(FWM)によって、窒素発光中心によるフォトンエコー信号を観測し、位相緩和時間を測定した。