[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-3] 窒素をデルタドープした GaAs の四光波混合測定

〇福島 崚太¹、田久保 悠一¹、佐久間 芳樹²、池沢 道男¹ (1.筑波大物理、2.物材機構)

キーワード：四光波混合、窒素をデルタドープしたGaAs

GaAs に希薄にデルタドープされた窒素不純物によって形成される NX センターは、数百 ps 程度の短い寿命を持つ明るい単一光子源として有用である。束縛された励起子のコヒーレンス特性とゆらぎの時間スケールを理解することが重要であるが、これまでは非共鳴励起下での単一NXセンター発光の干渉測定による評価しか行われておらず、遅いスペクトル拡散の影響がどの程度あるか良く分かっていない。そこで、今回、ピコ秒パルスによる縮退四光波混合法(FWM)によって、窒素発光中心によるフォトンエコー信号を観測し、位相緩和時間を測定した。