[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-7] メタ表面赤外線検出器のためのn-GaAsへのノンアロイオーミック接合

〇間野 高明¹、宮崎 英樹¹、笠谷 岳士¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：ガリウム砒素、オーミックコンタクト、メタ表面

現在我々はGaAs/AlGaAs量子井戸のサブバンド間遷移を用いたメタ表面量子井戸赤外線検出器に関する研究を進めている。今回、この検出器形成に必要な、n-GaAsへのノンアロイオーミック接合形成に関する検討を行った。既に報告例のある成長最表面層に加えて、埋め込まれた下部層に関しても、Siドープ量と成長温度を最適化することにより、ノンアロイオーミック接合が形成できることを明らかにした。