[18p-P8-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-P8-8] Initial process of growth of nitride semiconductor on Graphene substrate by RF-MBE

〇Ukyo Ooe¹, Shingo Arakawa¹, Satoru Uchimura¹, Shinichiro Mouri¹, Tsutomu Araki¹, Yasushi Nanishi¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:Graphene, Gallium Nitride, Molecular beam epitaxy

機械剥離可能な良質な単結晶が得られるという期待から、グラフェン上に窒化物半導体を成長する研究が進められている。本研究では、グラフェンの表面状態が結晶成長にどう影響するかを明らかにするために、初期段階で成長をとめた試料をSEM 観察し、AFM やラマン分光から得られるグラフェンの表面物性情報との関連を比較することで結晶成長メカニズムについて考察した。