[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-8] RF-MBE 法によるグラフェン上での窒化物半導体成長における初期過程

〇大江 佑京¹、荒川 真吾¹、内村 智¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹ (1.立命館大理工)

キーワード：グラフェン、GaN、MBE

機械剥離可能な良質な単結晶が得られるという期待から、グラフェン上に窒化物半導体を成長する研究が進められている。本研究では、グラフェンの表面状態が結晶成長にどう影響するかを明らかにするために、初期段階で成長をとめた試料をSEM 観察し、AFM やラマン分光から得られるグラフェンの表面物性情報との関連を比較することで結晶成長メカニズムについて考察した。