2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

[18p-P9-1~34] 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

2018年3月18日(日) 16:00 〜 18:00 P9 (ベルサール高田馬場)

16:00 〜 18:00

[18p-P9-25] 規則配列InGaN/GaNナノコラムのフォトニックバンド構造に表面プラズモンが与える影響

大音 隆男1、菊地 主馬2、岡本 晃一4、岸野 克巳2,3 (1.山形大院理工、2.上智大理工、3.上智大ナノテク、4.九大先導研)

キーワード:ナノコラム、ナノワイヤ、プラズモニクス

三角格子状に配列したInGaN/GaNナノコラム(ナノワイヤ)上にAu薄膜を蒸着することによって,表面プラズモン結合を引き起こしたところ,発光増強が起こると同時にプラズモニック構造に起因する複数の新たなピークが出現した.PL増強率は角度・エネルギー依存性を持ち,フォトニック/プラズモニックバンド構造が重なる状態でPL増強が顕著に起こることが分かった.