[19a-A404-1~9] 3.7 レーザープロセシング

[19a-A404-3] Si/Feターゲットの高圧Arガス中連続発振レーザー蒸発法により形成されるSiO_xナノワイヤーにおける2つの成長機構

〇北村 拓也¹、木村 敏彦²、秦野 和也²、小塩 明²、小海 文夫² (1.三重大院地域イノベ、2.三重大院工)

キーワード：酸化ケイ素、ナノワイヤー、レーザー蒸発法

連続発振レーザー蒸発法によりSiまたはSi/SiO₂混合ターゲットからSi触媒によるアモルファス酸化ケイ素(SiO_x)ナノワイヤー(NW)を形成してきた。本研究では、Si/Fe混合ターゲットのレーザー蒸発を行うことによりSiO_x NWを形成した。雰囲気Arガス圧を変えることで、FeSi₂およびSi触媒によりSiO_x NWが成長することを見出した。生成物の詳細な解析を行い、NWの2つの成長機構について比較・検討中である。