[19a-A404-1~9] 3.7 レーザープロセシング

[19a-A404-4] レーザー蒸発法によるSi/Geターゲットからの酸化ケイ素ナノチューブの形成

〇吉田 崇倫¹、平岩 昂¹、秦野 和也¹、小塩 明¹、小林 慶太²、坂田 孝夫²、保田 英洋²、小海 文夫¹ (1.三重大院工、2.阪大電顕センター)

キーワード：酸化ケイ素、ナノチューブ、レーザー蒸発法

酸化ケイ素ナノチューブ(SiO_x NT)はゾルゲル法，化学気相析出法，高温電気炉中でのレーザー蒸発と熱蒸発を組み合わせる方法等により形成されている。我々は，高圧Arガス中でのSi/Geターゲットの連続発振レーザー蒸発により，SiO_x NTが形成されることを見出した。SiO_x NTやその先端に付着する粒子のキャラクタリゼーション，NT直径と先端粒子直径の関係，Arガス圧のNT直径および長さへの影響等に基づき，NTの生成機構について議論する。