[19a-B201-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[19a-B201-1] Ge中赤外光グレーティングカプラ

〇(B)大迫 力人¹、徐 学俊¹、澤野 憲太郎¹、丸泉 琢也¹ (1.都市大総研)

キーワード：ゲルマニウム、中赤外光、グレーティングカプラ

微量ガスの検出をする、中赤外光（2-20μm）で機能する光集積回路の実現に向けて、広範囲に透明であるGe が有望視されており、特にSi 基板上へのGe のエピタキシャル成長によるできるGe-on-Si (GOS) 構造が従来のCMOS 製造プロセスを利用できる点などで非常に望ましい。本研究では、GOS 上にグレーティングカプラ及び導波路を作製し、ファイバ－導波路間の最大結合効率2.65%（結合損失15.8dB）が得られた。