[19a-B201-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[19a-B201-7] 横型SAM構造導波路型Ge-APD

〇小野 英輝¹、野口 将高¹、藤方 潤一¹、高橋 博之¹、志村 大輔¹、八重樫 浩樹¹、佐々木 浩紀¹ (1.PETRA)

キーワード：Ge-APD、横型SAM、TWDM-PON

次世代PONシステムとして期待されているTWDM-PONの加入者側端末ONU送受信機に適した受光素子として横型SAM（Separated Absorption and Multiplication）構造のGe-APDを試作し、静特性を評価した。その結果、波長1600nmにおける受光感度は、逆バイアス12VにおいてTE偏波で13.3A/W、TM偏波で15.0A/Wが得られた。また、波長1600nmに対する周波数応答測定の結果、逆バイアス12Vにおける3dB帯域は13.8GHzが得られた。以上のことから、伝送速度10GbpsのTWDM-PONの受光素子として十分な特性が得られた。