[19a-B203-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[19a-B203-1] リッジ導波路型GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの消費電力の検討

〇中村 なぎさ¹、瓜生 達也¹、Gu Zhichen¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大科技研)

キーワード：薄膜、DR

大規模集積回路上オンチップ光配線用光源として、我々は半導体薄膜DRレーザを提案・実現してきた。現在、低しきい値電流・高効率動作化を実現しているが大規模集積回路への集積にはさらなる低消費電力化が必要である。本報告では半導体薄膜レーザの低消費電力化に向け活性領域への強光閉じこめ効果の得られるリッジ型薄膜導波路構造の検討を行い、低消費電力動作の可能性を得たためご報告する。