[19a-B203-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[19a-B203-3] ハイブリッド集積に向けたAr-FAB表面活性化接合法のInP/Si接合特性の検討

〇永坂 久美¹、鈴木 純一¹、御手洗 拓矢¹、王 雨寧¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.未来研)

キーワード：高速原子ビーム、直接接合、Photoluminescence

Fast Atom Beam (FAB)を用いた表面活性化接合法は常温で強固な接合が得られ、熱膨張係数の差に起因するIII-V族活性層へのダメージや加熱・冷却によるスループットの悪化といった従来の接合方法の問題を解決することができるため、III-V/Siハイブリッド集積に有効である。前回、GaInAs/InPウェハへの影響の深さ依存性を報告したが、今回はInP/Si接合に関して、FAB照射時間と電流量をパラメータにした接合強度およびPL特性への影響を同時に評価したのでご報告する。