[19a-C101-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-C101-9] バルクSi基板へのホットC+注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅲ):Cドーズ量依存性

入江 翔¹、〇山本 将輝¹、中田 真史¹、小又 祐介¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)

キーワード：SiC、ホットイオン注入、量子ドット