2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:00 C102 (52-102)

渋谷 圭介(産総研)

09:00 〜 09:15

[19a-C102-1] スパッタリング法を用いたマグネシウム固体電解質薄膜の作製と特性評価

藤ノ木 紀仁1、辻田 卓司1、富山 盛央1 (1.パナソニック株式会社)

キーワード:固体電解質、二次電池

マグネシウムイオン二次電池は、高い理論容量密度を持ち、発火の危険性が低く、低コスト化が可能である利点から、ポストリチウムイオン二次電池として実用化が期待される。本研究では、母構造としてオリビン構造を有する珪酸マグネシウムに着目し、スパッタリング法を用いた固体電解質薄膜の作製を行い、マグネシウムの一部をジルコニウム又はカルシウムで置換することで、高いイオン伝導率を示すことを見出したので報告する。