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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:00 C102 (52-102)

渋谷圭介(産総研)

11:00 〜 11:15

△ [19a-C102-8] Ruddlesden-Popper型Sr_n₊₁V_nO_3n+1(001)(n = 1, 2)エピタキシャル薄膜の次元性制御による金属絶縁体転移

〇福田慎太郎¹、岡大地¹、福村知昭^1,2,3 (1.東北大院理、2.東北大 AIMR、3.東北大 CSRN)

キーワード：薄膜、強相関、エピタキシャル成長