[19a-C301-1~10] CS2 3.11 & 3.12 Code-sharing session

[19a-C301-1] Design and evaluation of 1.8 μm-band Si-rod structure thermal emitter.

〇Masahiro Suemitsu^1,2, Takashi Asano¹, Menaka De Zoysa¹, Susumu Noda¹ (1.Kyoto Univ., 2.Osaka Gas)

Keywords:Thermal radiation, Thermophotovoltaic

我々はこれまでフォトニック結晶 (PC)による光の状態制御と、量子構造や材料選択による電子の状態制御を組み合わせて熱輻射を制御する研究を行ってきた。特に熱光発電応用に関しては近赤外域に輻射を集中でき、かつ高出力動作に必要な高温動作(>1400 K)を可能にする構造としてSiロッド型PCを提案している。そして、Si太陽電池のバンドギャップ波長である1.1 μmをターゲットとした単結晶Siロッド熱輻射光源を作製し、熱輻射制御を実証してきた。今回、より高い出力密度が期待できる長波長太陽電池（GaSb, InGaAs等:バンドギャップ波長~1.8 μm）に適した構造を作製し、その熱輻射特性を実測したので報告する。