[19a-C301-1~10] CS2 3.11 & 3.12 Code-sharing session

[19a-C301-3] Fabrication of an InGaAs solar cell on a high-resistivity Si substrate for near-field thermophotovoltaics

〇Takuya Inoue^1,2, Takashi Asano¹, Susumu Noda¹ (1.Kyoto Univ., 2.K-CONNEX)

Keywords:near-field, thermophotovoltaics, solar cell

高温物体と太陽電池を光の波長以下の距離まで近づけて発電を行う近接場熱光発電は、高出力密度・高効率な発電方式として期待される。これまで我々は、熱輻射光源と太陽電池の間に表面モードをもたない高屈折率透明基板を挿入することで、長波長熱輻射を抑制しつつ、近赤外熱輻射のみを増強できることを明らかにした。今回我々は、上記の近接場熱光発電の実現に向けて、高抵抗Si基板上InGaAs太陽電池の試作および特性評価を行った。