[19a-D103-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19a-D103-11] 4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィー・シミュレーション

〇望月 和浩¹、紀 世陽¹、小杉 亮治¹、米澤 喜幸¹、奥村 元¹ (1.産総研)

キーワード：半導体、トポグラフィー、シミュレーション