2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[19a-D103-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 D103 (56-103)

太子 敏則(信州大)

09:15 〜 09:30

[19a-D103-2] 1873–2273Kでの溶融Cr-Si-CおよびFe-Si-C合金の相互拡散係数

川西 咲子1、柴田 浩幸1、吉川 健2 (1.東北大多元研、2.東大生研)

キーワード:シリコンカーバイド、溶液成長、拡散係数

SiCの高速溶液成長を安定成長界面を維持しつつ実現するためには、成長界面近傍での溶質の輸送環境の把握・制御が重要であり、溶媒合金の高温物性値の整備が必要である。そこで本研究では、TGZM法により1873~2273KでのSiC飽和のCr-Si-CおよびFe-Si-C溶液の相互拡散係数を測定し、10-8~10-7m2/s程度の値を得た。