2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[19a-D103-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 D103 (56-103)

太子 敏則(信州大)

09:30 〜 09:45

[19a-D103-3] Si-40mol%Cr溶媒の融体物性計測ならびにSiCの溶液成長下熱流動予測

〇(D)大黒 寛典1、川西 咲子2、石川 毅彦3、吉川 健1 (1.東大 生研、2.東北大 多元研、3.JAXA)

キーワード:SiC、溶液成長

溶液成長法によるSiC単結晶成長の大口径化と高速成長を図るうえで、熱流体シミュレーションを用いた溶液内の温度・流動の厳密制御が必須である。これまで合金溶液には溶融Siの物性値が用られてきた。本研究では、静電浮遊法を用いてSi-40mol%Cr合金の密度、粘性係数、表面張力を測定した。さらに、溶融SiとSi-40mol%Cr合金の物性値を用いて、溶液成長環境における溶液内の温度・流速分布をCFDシミュレーションにより予測し、比較検討を行った。