2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[19a-D103-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 D103 (56-103)

太子 敏則(信州大)

10:15 〜 10:30

[19a-D103-6] Si-Cr-Co溶媒からの高品質•高速SiC溶液成長

玄 光龍1、土本 直道1、鈴木 皓己1、〇太子 敏則1 (1.信州大工)

キーワード:SiC、溶液成長、高品質

Si0.6Cr0.4およびCoを加えたSi0.56Cr0.4Co0.04の溶媒によるSiC溶液成長を行い、結晶の成長速度および表面状態の変化を検討した。溶媒へのCoの添加が炭素溶解度を高め高速成長に寄与するとともに、結晶品質を向上させる効果を合わせ持つことがわかった。